Search for collections on Undip Repository

Peningkatan Profil Kinerja Dioda Schottky FTO-ZnO Menggunakan Dopan Magnesium untuk Mendeteksi Sinar-X Radiologi Konvensional

Saputra, Heru (2025) Peningkatan Profil Kinerja Dioda Schottky FTO-ZnO Menggunakan Dopan Magnesium untuk Mendeteksi Sinar-X Radiologi Konvensional. Masters thesis, Fakultas Sains dan Matematika Undip.

[thumbnail of 1. COVER.pdf] Text
1. COVER.pdf

Download (177kB)
[thumbnail of 3. HALAMAN PENGESAHAN I.pdf] Text
3. HALAMAN PENGESAHAN I.pdf
Restricted to Repository staff only

Download (412kB) | Request a copy
[thumbnail of 4. HALAMAN PENESAHAN II.pdf] Text
4. HALAMAN PENESAHAN II.pdf
Restricted to Repository staff only

Download (250kB) | Request a copy
[thumbnail of 8. DAFTAR ISI.pdf] Text
8. DAFTAR ISI.pdf

Download (306kB)
[thumbnail of 12. ABSTRAK.pdf] Text
12. ABSTRAK.pdf

Download (131kB)
[thumbnail of 13. ABSTRACT.pdf] Text
13. ABSTRACT.pdf

Download (112kB)
[thumbnail of 14. BAB I PENDAHULUAN.pdf] Text
14. BAB I PENDAHULUAN.pdf

Download (218kB)

Abstract

Dioda Schottky yang difabrikasi dari substrat FTO dan semikonduktor ZnO
berpotensi untuk digunakan sebagai detektor sinar-X radiologi konvensional.
Penambahan magnesium sebagai bahan dopan semikonduktor telah terbukti
meningkatkan kinerja untuk mendeteksi sinar-x radiografi konvensional.
Peningkatan kinerja tersebut didukung oleh hasil karakteristik material film tipis,
dimana ukuran kristalit menjadi lebih besar, dari 26,4166 nm menjadi 26,4171 nm
disertai dengan perbaikan pada parameter cacat kristal regangan kisi; konstanta kisi;
dan kerapatan dislokasi yang lebih kecil. Evaluasi kenampakan morfologi film tipis
menunjukkan bahwa porositas menurun dari 57,5% menjadi 52,2% dengan ukuran
partikel yang lebih besar, dari 175 nm menjadi 215 nm. Karakterisasi sifat optik
menunjukkan bahwa film tipis mengalami pergeseran merah pada spektroskopi UVVis, dan celah pita energi turun dari 3,38 eV menjadi 3,26 eV serta energi Urbach
turun dari 0,12 eV menjadi 0,10 eV. Perbaikan karakteristik film tipis berdampak
pada kinerja dioda, dimana dioda hanya memerlukan 0,16 V untuk bertransisi
secara schottky pada kondisi gelap dibandingkan 0,19 V; meningkatkan puncak
transisi schottky dari orde 10-10 A menjadi orde 10-9 A; respon puncak arus transien
yang lebih baik pada energi tabung yang sama dari 0,36 x 10-10 A menjadi 0,56 x
10-10 A; dan respon arus yang lebih linier ketika energi tabung ditingkatkan secara
linier.
Kata Kunci: dioda shcottky, ZnO, MZO, FTO, sinar-x, radiografi konvensional

Item Type: Thesis (Masters)
Subjects: Sciences and Mathemathic
Divisions: Faculty of Science and Mathematics > Master Program in Physics
Depositing User: Suhersi Rahmadhani
Date Deposited: 10 Nov 2025 04:11
Last Modified: 10 Nov 2025 04:11
URI: https://eprints2.undip.ac.id/id/eprint/40797

Actions (login required)

View Item View Item