Wafiyah, Sa'idatul (2026) Studi DFT Sifat Optoelektronik Material Perovskit CsSnBr₃ Terdoping Bi. Masters thesis, Fakultas Sains dan Matematika Undip.

	Text 1. Cover.pdf Download (157kB)
	Text 3. Halaman Pengesahan.pdf Download (615kB)
	Text 5. Daftar Isi.pdf Download (201kB)
	Text 9. Abstrak.pdf Download (147kB)
	Text 10. Abstract.pdf Download (147kB)
	Text 11. BAB I. PENDAHULUAN.pdf Download (200kB)
	Text 16. Daftar Pustaka.pdf Download (302kB)

Abstract

Studi ini menyelidiki sifat struktural dan elektronik CsSnBr3 yang didoping
Bi menggunakan teori fungsional kerapatan dalam pendekatan gradien umum
Perdew–Burke–Ernzerhof (GGA-PBE) dengan pseudopotensial ultrasoft (USPP)
dengan mempertimbangkan konsentrasi doping 12,5%, 25,0%, 37,5%, dan 50,0%.
Hasilnya menunjukkan bahwa penggabungan Bi menginduksi redistribusi muatan,
yang memodulasi lingkungan ikatan lokal dan menyebabkan variasi panjang ikatan
Sn–Br dan Bi–Br. Substitusi Bi menyebabkan penurunan non-monotonik pada
celah pita energi, menurun dari 0,55 eV pada sistem murni menjadi 0,32, 0,11, 0,23,
dan 0,21 eV pada doping 12,5%, 25,0%, 37,5%, dan 50,0%. Analisis celah pita
menunjukkan bahwa tingkat Fermi bergeser di atas minimum pita konduksi,
menunjukkan perilaku semikonduktor tipe-n degeneratif yang disebabkan oleh
keadaan seperti donor yang diperkenalkan oleh substitusi Bi. Hasil kerapatan
keadaan menunjukkan bahwa keadaan Bi 6p berkontribusi di dekat pita konduksi,
memodifikasi celah pita dan mengurangi energi eksitasi. Sifat optik sangat
dipengaruhi oleh doping Bi. Fungsi dielektrik menunjukkan karakteristik seperti
logam, seperti yang ditunjukkan oleh bagian riil negatif dan bagian imajiner
terbatas pada energi foton rendah, yang terkait dengan keberadaan pembawa
muatan bebas. Hal ini menghasilkan peningkatan penyerapan energi rendah dan
pergeseran transisi optik karena penyempitan celah pita dan pengisian pita.
Reflektivitas meningkat pada energi rendah, dengan pergeseran biru dan
pengurangan maksimum dalam rentang tampak. Fungsi kerugian mengungkapkan
fitur pembawa bebas energi rendah dan transisi antar pita energi tinggi. Secara
keseluruhan, doping Bi secara efektif menyetel sifat elektronik dan optik CsSnBr3,
menyoroti potensinya untuk aplikasi optoelektronik, khususnya teknologi
inframerah dan fotodetektor.
Kata kunci : Perovskit CsSnBr3, Doping Bi, Optoelektronik, Teori DFT

(NO KETERSEDIAAN : 054/S2KIM/2026)

Actions (login required)

View Item